【本文來(lái)自持牌證券機(jī)構(gòu)，不代表平臺(tái)觀點(diǎn)，請(qǐng)獨(dú)立判斷和決策】

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2025Q3全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模創(chuàng)造季度歷史新高，且已連續(xù)兩個(gè)季度增長(zhǎng)，其中DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)24.7%至400.37億美元，NAND市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)16.8%至184.22億美元。

同時(shí)，中芯國(guó)際在其投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中表示，當(dāng)前產(chǎn)線處于高度飽滿狀態(tài)，三季度產(chǎn)能利用率已達(dá)95.8%。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，中芯國(guó)際承接了大量模擬芯片、存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)器件（Flash）。中芯國(guó)際判斷“供應(yīng)缺口5%可能引發(fā)價(jià)格成倍影響”。此外，其指出新廠商進(jìn)入需長(zhǎng)達(dá)16個(gè)月以上的周期，這從供給側(cè)強(qiáng)化了當(dāng)前高價(jià)態(tài)勢(shì)的持續(xù)性，意味著現(xiàn)有頭部存儲(chǔ)廠商的盈利窗口期有望延長(zhǎng)，競(jìng)爭(zhēng)格局難以被快速顛覆。

國(guó)信證券指出，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片有望迎來(lái)以AI驅(qū)動(dòng)的新一輪景氣周期，需求拉動(dòng)力更強(qiáng)、存儲(chǔ)技術(shù)迭代進(jìn)一步加速、供給端產(chǎn)能調(diào)控策略升級(jí)，同時(shí)短期供給端新增產(chǎn)能有限，供需缺口有望維持，本輪存儲(chǔ)行業(yè)漲價(jià)持續(xù)性或更強(qiáng)。

1）服務(wù)器存儲(chǔ)受益于云廠商資本開(kāi)支加速，端側(cè)存儲(chǔ)有望持續(xù)擴(kuò)容

全球八大核心云端服務(wù)提供商2025年以來(lái)均加大資本投入以響應(yīng)AI數(shù)據(jù)中心與云端運(yùn)算的旺盛需求，根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2025年全球八大云廠商資本支出總額年增率預(yù)計(jì)為65%，并預(yù)期2026年行業(yè)仍將維持積極投資節(jié)奏，合計(jì)資本支出將突破6000億美元，年增率達(dá)40%。

資本支出的持續(xù)擴(kuò)張有望全面帶動(dòng)AI服務(wù)器需求升溫，進(jìn)而拉動(dòng)存儲(chǔ)器等上游供應(yīng)鏈需求。在存儲(chǔ)器下游應(yīng)用中，服務(wù)器存儲(chǔ)占比有望進(jìn)一步提升，NAND領(lǐng)域，算力中心積極應(yīng)用超高容量eSSD提升性能、降低能耗；DRAM方面，隨著支持DDR5的處理器平臺(tái)滲透率提升、搭載AI加速芯片的AI服務(wù)器出貨放量，服務(wù)器DDR5及HBM需求快速增長(zhǎng)。同時(shí)，2024-2025年全球手機(jī)及PC出貨量持穩(wěn)，AI手機(jī)、AIPC等智能終端加速滲透，端側(cè)存儲(chǔ)有望持續(xù)擴(kuò)容。

2）市場(chǎng)與技術(shù)趨勢(shì)：HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM

①HDD：HDD即硬盤(pán)，主要通過(guò)提升面密度提升HDD容量，近期HAMR（熱輔助磁記錄）技術(shù)可以大幅提升單碟容量，市場(chǎng)格局呈現(xiàn)雙寡頭壟斷，希捷科技、西部數(shù)據(jù)為主要參與者；

②SSD：SSD即固態(tài)硬盤(pán)，一種以NANDFlash為介質(zhì)的存儲(chǔ)設(shè)備，NAND堆疊層數(shù)持續(xù)增長(zhǎng)，單元架構(gòu)逐步從SLC轉(zhuǎn)化為MLC、QLC，市場(chǎng)參與者主要為三星、海力士（包括Solidigm）、美光、閃迪、鎧俠；

③DRAM：DRAM具備功耗小，集成度高，成本低等優(yōu)勢(shì)，逐步從DRAM迭代至SDRAM、DDR，目前頭部廠商已經(jīng)開(kāi)始對(duì)DDR6研發(fā)，下游需求主要在手機(jī)、PC、服務(wù)器領(lǐng)域，主要參與者包括三星、海力士、美光；

④HBM：多層DRAM芯片堆疊，通過(guò)TSV實(shí)現(xiàn)垂直方向的互聯(lián)，進(jìn)而具有更高的存儲(chǔ)密度和更大的帶寬，目前主要應(yīng)用于AI領(lǐng)域，主要參與者為海力士、美光、三星；

⑤NAND：存儲(chǔ)單元表達(dá)的bit數(shù)持續(xù)增長(zhǎng)，堆疊層數(shù)持續(xù)增長(zhǎng)，下游需求主要為SSD和手機(jī)，主要參與者為三星、海力士、鎧俠、美光、閃迪。

HBM、DDR5引領(lǐng)高端DRAM市場(chǎng)，其中HBM技術(shù)持續(xù)迭代，存儲(chǔ)容量與帶寬不斷提升，主流AI加速卡多數(shù)采用HBM配置方案，有望推動(dòng)HBM市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)；DDR5在企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心客戶的應(yīng)用規(guī)模有望持續(xù)提升。NAND市場(chǎng)方面，QLCNAND技術(shù)逐步成熟，兼顧大容量、低功耗、高性能的QLCSSD成為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)新星，滲透率有望提升。為應(yīng)對(duì)AI算力旺盛需求，存儲(chǔ)大廠調(diào)整產(chǎn)能規(guī)劃至HBM等高端環(huán)節(jié)，減產(chǎn)或停供DDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)品，使相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格大幅上揚(yáng)。

3）存儲(chǔ)市場(chǎng)集中度較高，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)突破有望提升出貨量，產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇

全球存儲(chǔ)市場(chǎng)集中度較高，競(jìng)爭(zhēng)格局較為穩(wěn)定，三星、SK海力士、美光等廠商穩(wěn)居前列。國(guó)產(chǎn)DRAM龍頭廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)DDR5/LPDDR5X的技術(shù)突破與產(chǎn)品供應(yīng)，出貨量有望逐步攀升。國(guó)產(chǎn)NANDFlash龍頭廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)QLC、TLC等多款產(chǎn)品的技術(shù)突破。AI驅(qū)動(dòng)、技術(shù)創(chuàng)新疊加供需格局變化，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商、模組廠商有望充分受益于存儲(chǔ)新一輪景氣周期。此外，存儲(chǔ)景氣周期有望推動(dòng)存儲(chǔ)廠商提升資本開(kāi)支，上游半導(dǎo)體設(shè)備有望受益。

AI浪潮持續(xù)推進(jìn)，云廠商資本開(kāi)支加速，服務(wù)器存儲(chǔ)需求旺盛；同時(shí)AI+消費(fèi)終端等應(yīng)用加速滲透，端側(cè)存儲(chǔ)持續(xù)擴(kuò)容，存儲(chǔ)行業(yè)有望迎來(lái)以AI驅(qū)動(dòng)的新一輪景氣周期。

關(guān)注：

存儲(chǔ)模組公司：德明利、江波龍、開(kāi)普云、香農(nóng)芯創(chuàng)、佰維存儲(chǔ)、天山電子等。

長(zhǎng)鑫鏈：兆易創(chuàng)新、晶合集成、匯成股份、深科技、拓荊科技、精智達(dá)、驕成超聲、百傲化學(xué)等。

存儲(chǔ)設(shè)計(jì)公司：普冉股份、聚辰股份、瀾起科技、東芯股份、恒爍股份等。

研報(bào)來(lái)源：國(guó)信證券，熊莉，S0980519030002，計(jì)算機(jī)行業(yè)人工智能存儲(chǔ)系列報(bào)告一：AI拉動(dòng)需求增長(zhǎng)，存儲(chǔ)大周期方興未艾。2025年12月09日

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